近日，第四届电子元器件辐射效应国际会议（4thInternational Conference on Radiation Effects of Electronic Devices，ICREED-2021）在西安召开。大会荣誉主席为西安电子科技大学郝跃院士，大会主席为北京微电子研究所赵元富研究员。西安交通大学贺朝会教授、西北核技术研究院陈伟研究员、哈尔滨工业大学李兴冀教授、美国Vanderbilt大学Dan Fleetwood教授、意大利Padova大学Alessandro Paccagnella教授、美国Arizona州立大学Hugh Barnaby教授为大会共同主席。
大会开幕式由贺朝会教授主持。西安交通大学副校长席光教授、北京微电子技术研究所赵元富研究员和西安交通大学客座教授、西北核技术研究院陈伟研究员分别致欢迎词。
会议采取线上和线下相结合的形式举行，线下注册226人、线上58人，加上组织单位的学者和学生共计300余人参会，分别来自中国、美国、意大利、俄罗斯、加拿大等国家的60余家高校及科研院所。IEEE Transactions on Nuclear Science杂志高级编辑、Vanderbilt大学Dan Fleetwood教授，意大利Padova大学副校长Alessandro Paccagnella教授，美国Arizona州立大学Hugh Barnaby教授，意大利都灵理工大学Luca Sterpone教授，加拿大Saskatchewan大学Li Chen教授，俄罗斯微电子研究所Eugene B. Yakimov研究员，俄罗斯National Research Nuclear University Gennady I. Zebrev教授等国际著名学者作大会特邀报告，国内11位著名学者作大会报告，四个分会场共交流技术报告60个，并有68篇海报展示和三家公司的产品展示，内容涵盖电子元器件与电子系统在空间及核辐射环境中的辐照效应机理、辐射效应建模、辐照测试和抗辐照加固技术等相关方面的最新进展及成果。
本次会议由西安交通大学、西安微电子技术研究所和中国航天科技集团有限公司抗辐射集成电路技术实验室联合主办，由西安电子科技大学、哈尔滨工业大学、扬州大学、云南师范大学、北京微电子技术研究所、中国科学院理化技术研究所、模拟集成电路国家级重点实验室协办。会议得到了上海概伦电子股份有限公司、中山德华芯片技术有限公司、陕西夸克自控科技有限公司的赞助和《原子能科学技术》《半导体学报》、中国仿真学会、陕西核学会和新疆核学会友情支持，得到了国内辐射效应研究领域各个单位的大力支持。
ICREED会议是国际辐射效应领域三大国际会议之一，ICREED-2021的举办为辐射效应及相关领域的科学家、学者、工程师、项目经理和学生提供了充分学习和交流的机会，对国内学者掌握国内外最新研究动态，促进我国电子元器件抗辐照技术的研究发展，提升我国在国际辐射效应领域的话语权具有重要意义和推动作用。
